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IRF7805ZGPbF
Static @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
BV DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
30
–––
–––
V
V GS = 0V, I D = 250μA
?Β V DSS / ? T J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.023
–––
V/°C Reference to 25°C, I D = 1mA
R DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
5.5
6.8
m ?
V GS = 10V, I D = 16A
–––
7.0
8.7
V GS = 4.5V, I D = 13A
V GS(th)
? V GS(th)
I DSS
Gate Threshold Voltage
Gate Threshold Voltage Coefficient
Drain-to-Source Leakage Current
1.35
–––
–––
–––
- 4.7
–––
2.25
–––
1.0
V
mV/°C
μA
V DS = V GS , I D = 250μA
V DS = 24V, V GS = 0V
–––
–––
150
V DS = 24V, V GS = 0V, T J = 125°C
I GSS
gfs
Q g
Q gs1
Q gs2
Q gd
Q godr
Q sw
Q oss
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Pre-Vth Gate-to-Source Charge
Post-Vth Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain Charge
Gate Charge Overdrive
Switch Charge (Q gs2 + Q gd )
Output Charge
–––
–––
64
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
18
4.7
1.6
6.2
5.5
7.8
10
100
-100
–––
27
–––
–––
–––
–––
–––
–––
nA
S
nC
nC
V GS = 20V
V GS = -20V
V DS = 15V, I D = 12A
V DS = 15V
V GS = 4.5V
I D = 12A
See Fig. 16
V DS = 16V, V GS = 0V
R G
t d(on)
t r
Gate Resistance
Turn-On Delay Time
Rise Time
–––
–––
–––
1.0
11
10
2.1
–––
–––
?
V DD = 15V, V GS = 4.5V
I D = 12A
t d(off)
t f
C iss
C oss
C rss
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
–––
–––
14
3.7
2080
480
220
–––
–––
–––
–––
–––
ns
pF
Clamped Inductive Load
V GS = 0V
V DS = 15V
? = 1.0MHz
Avalanche Characteristics
Parameter
Typ.
Max.
Units
E AS
I AR
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
–––
–––
72
12
mJ
A
Diode Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
Continuous Source Current
–––
–––
3.1
MOSFET symbol
I SM
V SD
t rr
Q rr
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
–––
–––
–––
–––
–––
–––
29
20
120
1.0
44
30
A
V
ns
nC
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T J = 25°C, I S = 12A, V GS = 0V
T J = 25°C, I F = 12A, V DD = 15V
di/dt = 100A/μs
t on
2
Forward Turn-On Time
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L S +L D )
www.irf.com
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